收集一：

　　一.填空

　　1.集成電路的分類，按材料，工藝

　　2.集成電阻的計算，以及其制造工藝

　　3.vtp，vtn的正負判斷，分別對于增強型和耗盡型

　　4.cmos電路功耗包括哪兩個部分，功耗設計主要考慮的因素

　　……(還有幾道不記得了)

　　二.填表

　　全定制，門陣列，fpga各自單元模塊，連線的性質……

　　三.填圖

　　cmos工藝流程填圖畫圖

　　四.問答

　　1.cmos單元負載較大的電容時，只有提高w，這樣會使w*l增加，相對前級又時一個大電容，如何解決這一矛盾?

　　2.結合軟件談談全定制集成電路設計流程

　　3.談談對layout設計的看法

　　五.翻版圖或者畫版圖，選一

　　第二卷

　　1.什么是格雷碼?

　　2.nyquist采樣定例

　　3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功

　　4.運算放大器1，…………2，有幾級，各級之間耦合方式有幾種，分析各種的優(yōu)劣。

　　收集二：1.畫出nmos的特性曲線(指明飽和區(qū)，截至區(qū)，線性區(qū)，擊穿區(qū)和c-v曲線)

　　2.2.2um工藝下，kn=3kp，設計一個反相器，說出器件尺寸。

　　3.說出制作n-well的工藝流程。

　　4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區(qū)別。

　　5.用cmos畫一個d觸發(fā)器(clk，d，q，q-)