光照對半導體電阻率測試的影響分析論文

　　1 概述

　　四探針測試法是測量半導體材料電阻率的主要手段，光照是影響測試精度的一種環(huán)境因素。文章利用RTS-8型四探針測試儀在不同光照環(huán)境下對樣品進行測試，分析測量數(shù)據(jù)，結(jié)合相關(guān)理論，研究光照對測量結(jié)果的影響機制。本文主要分析光照對測量精度的影響。

　　2 光的吸收

　　半導體材料通常能強烈地吸收光能，具有數(shù)量級約為105cm-1的吸收系數(shù)。吸收系數(shù)的大小可以反映半導體材料吸收光能的能力，通常用α來表示。材料吸收光的能力常常與入射光子能量有關(guān)。若外界有穩(wěn)定的一定波長的光照作用在被測硅片表面，半導體材料吸收光輻射能量，從而導致價帶中的電子獲得足夠能量從價帶躍遷到導帶，在價帶中留下空穴，這樣在半導體中產(chǎn)生了電子-空穴對，這個過程也被稱為本征吸收。要使半導體材料發(fā)生本征吸收，入射光子的能量需要滿足hν≥Eg的條件，否則電子的躍遷則不能發(fā)生。被測硅片樣品對不同能量的光子的吸收能力是不同的。圖1所示的.是硅材料的吸收系數(shù)α和入射光子能量hν之間的關(guān)系。

　　3 測試條件

　　測試所用樣品的外延層和襯底之間要有pn結(jié)隔離，或者外延層的電阻率要比襯底的電阻率小得多。測試儀探針的導電性能要好，與被測材料的接觸電勢差要小，同時，探針的位置要固定，防止探針游移。

　　在測量過程中，電流源提供的電流的相對變化不能超過0.05%。工作電流的選擇主要取決于被測樣品的電阻率大小。如果選取的工作電流過小，則測量電壓的難度將提升;選取較大的工作電流可以測得較高的電壓值，這可以提高測量的精確性，但是工作電流過大會使得被測樣品發(fā)熱，樣品的電阻率隨之發(fā)生變化，這又降低了測量的精度。所以為了選取合適的工作電流，需要先獲得被測樣品的I-V特性關(guān)系，根據(jù)I-V關(guān)系將工作電流控制在線性較好的范圍內(nèi)，這樣被測樣品的電阻率就不會隨著電流的變化有過大變化，測量的精度可以得到保證。

　　一般來說，對于具有較大電阻率的樣品，工作電流要選得小一些，而電阻率較小的樣品則工作電流可以選得大一些。而在確保電流和電壓有足夠測量精度的前提下，工作電流應當盡可能選得小一些。

　　4 光照對測試結(jié)果影響的分析

　　5 結(jié)語

　　總體而言，隨著入射光子能量的增加，硅樣品的吸收系數(shù)逐漸增大，即表示材料對光子能量較大或頻率較大的光吸收能力較強。當入射的光子能量較大，被測硅樣品越能吸收入射光的能量，這樣則能產(chǎn)生越多的光生載流子，從而使被測樣品的電導率升高，電阻率和方塊電阻減小，這樣就使得電阻率實際的測量值越偏離標稱值。當入射光子能量較小或頻率較小時，情況則正好相反。另外當入射光頻率一定，光強越強產(chǎn)生的光生載流子也越多，也可以使被測樣品的實測電阻值小于標稱值。正因為在實際測量時，半導體樣品不可避免地會處在一定光照條件下，測量過程中光照條件不一樣就會使測量電阻率出現(xiàn)的測量誤差有所差異。

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