射頻功率放大器開題報告范文

　　篇一：射頻功率放大器開題報告

　　第1章  概述

　　本章介紹了射頻功率放大器的研究目的和意義，討論現(xiàn)階段的研究現(xiàn)狀以及發(fā)展趨勢，最后闡述了在論文期間所做的主要工作和前期計劃結(jié)構(gòu)。

　　1.1課題研究的目的和意義

　　隨著21世紀(jì)的到來，人類社會已步入信息時代社會信息極大的改變了人類社會的生產(chǎn)、工作、學(xué)習(xí)和生活方式，人們對信息的依賴與需求越來越大，隨時隨地、迅速可靠的與通信的另一方進(jìn)行任何方式的信息交流成為人們不斷追求的目標(biāo)。從全球范圍來看，無線通信用戶的年增量都在大幅度的增長，無線通信已經(jīng)進(jìn)入規(guī)�；�發(fā)展的階段。如今快速的發(fā)展無線通信已成為信息產(chǎn)業(yè)中最耀眼的亮點，并成為社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展的動力�，F(xiàn)代通信迅速發(fā)展，對射頻功率放大器的要求也越來越高，其在整個無線電通訊系統(tǒng)中非常重要，輸出功率決定了通訊距離的長短，其他方面也對通訊的效率性能指標(biāo)起決定性作用。

　　射頻功率放大器由于尺寸、線性度高、噪聲低等優(yōu)點，廣泛運用與在衛(wèi)星通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)以及各種工業(yè)裝備，伴隨著無線通訊和軍事領(lǐng)域新標(biāo)準(zhǔn)新技術(shù)的發(fā)展，對射頻功率放大器的性能要求也高，使之在更寬頻帶內(nèi)，具有更高的輸出功率、效率和可靠性，例如為在有限的頻譜范圍內(nèi)容納入更多的內(nèi)容就要求更多的通訊通道，獲得較高的輸出功率，現(xiàn)在通訊系統(tǒng)均采用了QPSK、64QSN等線性調(diào)制技術(shù)，這些調(diào)制技術(shù)對功放的非線性非常敏感，因而對放大器有更高的線性要求，提高功率放大器的可靠傳輸，以避免對其他信道的干擾，保證通訊的正�？煽�。

　　為了滿足各種應(yīng)用需求，近十幾年來人們不斷推動射頻功率放大器的發(fā)展和進(jìn)步，在這十幾年發(fā)展過程中，射頻器件及射頻技術(shù)的發(fā)展是推動射頻功率放大器發(fā)展的倆大因素射頻器件的發(fā)展是射頻功率放大器的發(fā)展成為可能，射頻技術(shù)的發(fā)展使射頻功率放大器的性能得到提高。目前，由于無線領(lǐng)域局域網(wǎng)的市場潛力，世界各國的工業(yè)界和科技界都投入巨大的力量，加強(qiáng)這方面的研究與開發(fā)工

　　作，對射頻的高集成度、成本和小型化追求都把目標(biāo)集中在多頻帶和多模式上，即用較少的芯片輸在多頻帶實現(xiàn)各種功能。

　　射頻功率放大器的應(yīng)用領(lǐng)域比較廣泛，比如雷達(dá)、通訊、導(dǎo)航、衛(wèi)星地面站。點子對抗中都需要它，如在有源相控陣?yán)走_(dá)中射頻功率放大器就扮演著重要角色，在電子戰(zhàn)中，射頻功率可制成有源誘餌，便面飛機(jī)被導(dǎo)彈擊中，通訊中，射頻功率放大器廣泛運用與小功率或低數(shù)據(jù)率終端，如射頻功率放大器就很大程度上決定這個人移動電話的通話時間和待機(jī)時間。總之需要對射頻信號進(jìn)行功率放大的設(shè)備中都離不開射頻功率放大器。與低噪聲放大器相比，射頻功率放大器除了要滿足一定的增益、駐波比、頻帶外，突出的要求是輸出功率和高轉(zhuǎn)換率及減少非線性失真。

　　1.2研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢

　　對于射頻功率放大器的研究方面許多專家教授都對這方面作了相關(guān)的研究，得到了許多成果總結(jié)，這對我們后期的學(xué)習(xí)有了很大的幫助，以下是我參考的文獻(xiàn)：

　　張利飛、汪海勇在《低噪聲功率放大器的仿真設(shè)計》根據(jù)非線性結(jié)的諧波輻射特性,通過發(fā)射基波信號,接收二次或三次諧波/組合波來探測含有非線性結(jié)的目標(biāo)。由于諧波雷達(dá)接收機(jī)要接收來自非線性結(jié)散射回來的微弱的二次或三次/組合波信號,因此對諧波雷達(dá)發(fā)射機(jī)的諧波抑制能力和低噪聲提出了較高的要求。而發(fā)射機(jī)的主要部件是功率放大器,本文根據(jù)諧波雷達(dá)發(fā)射機(jī)的要求,設(shè)計的放大器的指標(biāo)為:工作頻率:900MHz輸出功率:2W(33dBm)功率增益:37dB輸入輸出駐波比:小于1.5:1三階交調(diào):-20dBc二次諧波抑制:大于40dB噪聲系數(shù):小于1dB1方案確定與器件選擇首先從功率增益上考慮,一般功率放大器的增益在15dB左右,為了能達(dá)到37dB的功率增益,需要3級放大器,考慮到第一級放大器為小信號放大器,而且小信號放大器的增益比較大,從而確定的方案為兩級放大器,即前級小信號放大器和后級大信號放大器。其次從噪聲系數(shù)上考慮,由于總的噪聲系數(shù)小于1dB,則要求所選放大器的噪聲系數(shù)均比較小,考慮到前級放大器的噪聲系數(shù)對整個系統(tǒng)的影響最大,故前級主要從最小噪聲系數(shù)上考慮,后級可以在滿足一定噪聲系數(shù)的條

　　件下主要考慮功率。

　　陳曉飛，沈軍等在2014年的文獻(xiàn)《高線性度CMOS射頻AB類功率放大器設(shè)計》中，指出CMOS射頻AB類功率放大器廣泛應(yīng)用于單片集成無線芯片內(nèi)．采 用恒定最大電流的方法對其效率進(jìn)行分析，采用歸一化輸入電壓的方法對其線性度進(jìn)行分析．利用AB類功率放大器系統(tǒng)增益的非線性與CMOS跨導(dǎo)非線性相互補(bǔ) 償，提高了CMOS射頻 AB類放大器的線性度．基于 TSMC 0．18μm CMOS 混合信號工藝，設(shè)計了一款兩級射頻AB類功率放大器[2]。

　　延濤在2007年的文獻(xiàn)《高性能CMOS射頻功率器件及功率放大器研究與實現(xiàn)》中，指出隨著人們對無線通訊需求的不斷增加，射頻集成電路（RFIC）技術(shù)迅速發(fā)展，成為了集成電路產(chǎn)業(yè)新的增長點。在RFIC所采用的工藝技術(shù)中，RF CMOS具有成本和集成度方面的巨大優(yōu)勢，是未來無線通訊技術(shù)的發(fā)展趨勢[3]。

　　許永生在《CMOS射頻器件建模及低噪聲放大器的設(shè)計研究》中指出微波低噪聲放大器是利用微波低噪聲場效應(yīng)管在微波頻段進(jìn)行放大。特別需要注意的是，因為場效應(yīng)管都存在著內(nèi)部反饋，當(dāng)反饋量達(dá)到一定強(qiáng)度時，將會引起放大器穩(wěn)定性變壞而導(dǎo)致自激，改善微波管自身穩(wěn)定性采取的是串接阻抗負(fù)反饋法，在場效應(yīng)管的源極和地之間串接一個阻抗電路，構(gòu)成負(fù)反饋電路。實際的微波放大器電路中反饋元件常用一段微帶線代替，相當(dāng)于電感性元件負(fù)反饋，這樣對電路穩(wěn)定性有所改善。利用PHEMT芯片，應(yīng)用混合集成工藝進(jìn)行設(shè)計，在寬頻帶范圍內(nèi)實現(xiàn)了低噪聲系數(shù)和低駐波特性。器件的選用恰當(dāng)與否直接關(guān)系到性能指標(biāo)的優(yōu)劣，寬帶低噪聲放大器最關(guān)鍵的器件就是放大器的基礎(chǔ)——GaAsPHEMT芯片。為滿足高增益指標(biāo)，[1]

　　GaAsPHEMT應(yīng)具有盡可能高的跨導(dǎo)；同時，為了滿足低的噪聲系數(shù)，GaAsPHEMT自身的噪聲系數(shù)應(yīng)盡可能低；由于型譜產(chǎn)品頻段較高，為了避免分布參數(shù)帶來的影響，同時減小體積，GaAsPHEMT選擇采用管芯。 該項目為了兼顧噪聲和增益，所以采用2級放大。第1級放大器的設(shè)計必需是最佳噪聲設(shè)計，即輸入匹配網(wǎng)絡(luò)必需是最佳噪聲匹配網(wǎng)絡(luò)，不必追求最大增益；第2級放大器保證輸出功率和總增益[4]。

　　胡柳林在《800MHz CMOS低噪聲功率放大器設(shè)計與仿真功率放大器》指出無線發(fā)射器中必不可少的組成部分，也是整個發(fā)射機(jī)中耗能最多的部件，輸出功率

　　一般比較大。射頻功率放大器的主要作用就是放大射頻信號，以輸出大功率為目的。射頻信號功率的放大實質(zhì)上是在輸入射頻信號的控制下將電源直流功率轉(zhuǎn)換為高頻功率。相對于其它無線收發(fā)組件，大功率、高線性、高效率是功率放大器的基本設(shè)計要求。介紹了基于TSMC0.18umCMOS工藝的功率放大器的設(shè)計，給出了仿真結(jié)果和版圖設(shè)計。該電路采用兩級放大結(jié)構(gòu)，單端輸入單端輸出。第一級采用共源共柵放大電路，第二級采用差分放大電路，輸出由一個平衡．不平衡電路轉(zhuǎn)化為單端輸出。在3.3V的供電電壓下，最大輸出功率為16.25dB，增益為20dB，輸入1dB壓縮點位13dB，帶寬為1GHz~2GHz，滿足設(shè)計指標(biāo)要求[5]。

　　金香菊在《CMOS射頻C類低噪聲功率放大器研究與設(shè)計》功率放大器作為射頻收發(fā)機(jī)中功耗和體積最大模塊,其性能直接決定了整個射頻收發(fā)機(jī)的成本、功耗和體積,因此研究CMOS射頻功率放大器對實現(xiàn)單芯片射頻收發(fā)機(jī)意義重大。 本文通過深入分析CMOS射頻C類功率放大器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和工作原理,設(shè)計出一個可單片集成的射頻C類功率放大器,并完成了版圖設(shè)計。 首先對線性和非線性功率放大器進(jìn)行了系統(tǒng)總結(jié)。采用電流源C類功率放大器模型,推導(dǎo)出功率放大器的效率、漏極電流的頻譜、輸出功率與導(dǎo)通角θ的關(guān)系,并用于指導(dǎo)功率放大器設(shè)計。 其次,對基于CMOS工藝的射頻C類功率放大器進(jìn)行研究,并設(shè)計出一個中心頻率2.4GHz的C類功率放大器�？紤]輸出功率、功率增益和效率要求,并針對CMOS工藝晶體管擊穿電壓低和跨導(dǎo)能力有限等缺點,采用單端兩級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),使用共源共柵和輸出級的輸入諧振網(wǎng)絡(luò)等電路設(shè)計技術(shù),提高了功率放大器的性能。 最后,基于TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS RF工藝,采用Cadence的SpectreRF進(jìn)行電路仿真和版圖設(shè)計。仿真結(jié)果表明,在使用片上電感后,輸出功率達(dá)到24dBm,功率增益為24dB,功率附加效率達(dá)到34%[6]。

　　王振，喻志遠(yuǎn)，雍正平，雷毅在《C波段低噪聲功率放大器的設(shè)計》中通過仿真結(jié)果可以看出，放大器的輸入輸出駐波比、噪聲和增益等指標(biāo)基本上都合格。從設(shè)計中可以了解使用ADS來設(shè)計低噪聲放大器的基本方法，首先要做的就是偏置電路的設(shè)計，然后用S參數(shù)仿真來進(jìn)行穩(wěn)定性的判斷，若在使用頻段內(nèi)不穩(wěn)定，還需要進(jìn)行穩(wěn)定性的設(shè)計。當(dāng)場效應(yīng)管工作穩(wěn)定后就要對其進(jìn)行阻抗匹配。一般低噪聲放大器的第1級需要良好的噪聲特性，所以第1級的輸入端進(jìn)行最佳噪聲阻抗到50源負(fù)載的匹配，輸出端進(jìn)行共軛匹配。如果要考慮到第1級的增益輸出

　　不能太低的話，則需要畫出增益圓圖和噪聲圓圖，然后選擇合適的源阻抗值，犧牲一部分噪聲來提高增益。第2級一般為功率輸出級，需要的是最大的增益輸出，所以第2級一般對輸入輸出同時向50負(fù)載做共軛匹配，在匹配之前，需要算出最佳共軛匹配的`ZS和ZL值，這個值只有在電路穩(wěn)定的情況下才唯一存在的。2級分別設(shè)計，再級聯(lián)，由于計算機(jī)已經(jīng)進(jìn)行了參數(shù)優(yōu)化，通常不需調(diào)整就可達(dá)到比較滿意的效果。還有器件參數(shù)的離散性，以及加工誤差，實際加工出來的結(jié)果有一些微小差異，這就需要在實際調(diào)試中，稍微調(diào)整一下分布參數(shù)，就可達(dá)到最佳的效果[7]。

　　李斐在《寬帶射頻接收機(jī)前端低噪聲放大器設(shè)計》中指出無線通信市場的發(fā)展以及人們對無線通信與日俱增的需求推動了這一領(lǐng)域的研究與開發(fā)。無線收發(fā)機(jī)始終向著高性能,高集成度、低功耗、低成本的方向發(fā)展。本論文以設(shè)計射頻無線收發(fā)機(jī)中關(guān)鍵組成射頻接收機(jī)前端為目的,研究并設(shè)計射頻接收機(jī)前端的系統(tǒng)和模塊。 首先從系統(tǒng)的角度出發(fā),簡要介紹了射頻系統(tǒng)接收的一些性能指標(biāo)及其衡量標(biāo)準(zhǔn),系統(tǒng)的分析比較了幾種適用于單片集成的射頻接收機(jī)結(jié)構(gòu),總結(jié)了各自的優(yōu)缺點,提出在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)選取上的設(shè)計考慮；然后詳細(xì)分析了射頻接收機(jī)前端的兩個模塊：低噪聲放大器和混頻器,總結(jié)并比較了一些常用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)[8]。

　　黃曉華在《低噪聲射頻功率放大器的設(shè)計與優(yōu)化》中寫到微波和射頻工程是一個令人振奮且充滿生機(jī)的領(lǐng)域，主要由于一方面，現(xiàn)代電子器件取得了最新的發(fā)展；另一方面，目前對語音、數(shù)據(jù)、圖像通信能力的需求急劇增長。在這一通信變革之前，微波技術(shù)幾乎是國防工業(yè)一統(tǒng)天下的領(lǐng)域，而近來對無線尋呼、移動電話、廣播視頻、有繩和無繩計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的通信系統(tǒng)需求的迅速擴(kuò)大正在徹底改變工業(yè)的格局。這些系統(tǒng)正在用于各種場合，包括機(jī)關(guān)團(tuán)體、生產(chǎn)制造工廠、市政基層設(shè)施，以及個人家庭等。應(yīng)用和工作環(huán)境的多樣性伴隨著大批量生產(chǎn)，從而使微波和射頻產(chǎn)品的低成本制造能力大為提高。這又轉(zhuǎn)而降低了大批新型的低成本無線、有線射頻和微波業(yè)務(wù)的實現(xiàn)成本，其中包括廉價的手持GPS導(dǎo)航設(shè)備、汽車防撞雷達(dá)，以及到處有售的寬帶數(shù)字服務(wù)入口等[9]。

　　朱樟明 劉簾曦在《PWM CMOS D類音頻功率放大器》提出了一個高效的PWM CMOS d類音頻功率放大器。軌到軌PWM比較器與窗函數(shù)被嵌入到d類音頻功率放大器。根據(jù)TSMC 0.5μm CMOS工藝設(shè)計結(jié)果表明,最大效率為90%,PSRR -75分貝,電源

　　篇二：433MHz低噪聲射頻功率放大器的設(shè)計畢業(yè)設(shè)計開題報

　　一、 研究的目的:

　　低噪聲微波放大器（LNA）已廣泛應(yīng)用于微波通信、GPS 接收機(jī)、遙感遙控、雷達(dá)、電子對抗、射電天文、大地測繪、電視及各種高精度的微波測量系統(tǒng)中，是必不可少的重要電路。低噪聲放大器位于射頻接收系統(tǒng)的前端，其主要功能是將來自天線的低電壓信號進(jìn)行小信號放大。前級放大器的噪聲系數(shù)對整個微波系統(tǒng)的噪聲影響最大，它的增益將決定對后級電路的噪聲抑制程度，它的線性度將對整個系統(tǒng)的線性度和共模噪聲抑制比產(chǎn)生重要影響。對低噪聲放大器的基本要求是：噪聲系數(shù)低、足夠的功率增益、工作穩(wěn)定性好、足夠的帶寬和大的動態(tài)范圍。

　　隨著工作頻率升高，低噪聲放大器卻因為其強(qiáng)烈的非線性而要依賴非線性模型來預(yù)測其電性能，且電路設(shè)計的精度取決于非線性模型的準(zhǔn)確度。廠商一般都是給出某個的ｓ參數(shù)值，對于那些不是常用的頻段獲取參數(shù)相當(dāng)?shù)睦щy。因此選擇合適的仿真軟件對器件進(jìn)行建模仿真變得非常重要。同時，由于晶體管在高頻工作時，受到寄生效應(yīng)的影響，要保持低噪聲放大器的穩(wěn)定性就需要電路板布局合理、 輸入輸出匹配之間的有效配置都是設(shè)計射頻放大器的關(guān)鍵。著手分析并解決這些問題，為以后開展更深一步的研究做好鋪墊。

　　二、主要研究內(nèi)容

　　功率放大器設(shè)計指標(biāo)：

　　工作頻率：433MHz

　　接選用晶體管：AT41511；

　　工作頻率：433MH±50MHz；

　　帶寬：100MHz ；

　　偏置電壓：5 V；

　　增益：20dB；

　　噪聲系數(shù)<1.

　　輸入輸出駐波比<2

　　輸出功率：1W.

　　低噪聲放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是噪聲系數(shù)和增益，這些是研究射頻低噪聲放大器的關(guān)鍵。本文對此進(jìn)行了一些研究，主要包括下面幾個方面：

　　1.射頻電路的噪聲系數(shù)

　　二端口的噪聲系數(shù)定義為二端口輸入端的信噪比與輸出端的信噪比：用符號PS/PN (或 S/N)表示。放大器噪聲系數(shù)是指放大器輸入端信號噪聲功率比

　　PSI/PNI與輸出端信號噪聲功率比PSO/PNO的比值，以分貝數(shù)表示噪聲系數(shù)：

　　NF=101g(F)。噪聲系數(shù)的物理含義是：信號通過放大器之后，由于放大器產(chǎn)生噪聲，使信噪比變壞，信噪比下降的倍數(shù)就是噪聲系數(shù)。噪聲系數(shù)是低噪聲放大器設(shè)計中最關(guān)鍵的指標(biāo)之一。

　　2.增益

　　低噪聲放大器的增益要適中，太大會使下級混頻器輸入太大，產(chǎn)生失真。但為了抑制后面各級的噪聲對系統(tǒng)的影響，其增益又不能太小。放大器的增益首先與管子跨導(dǎo)有關(guān)，跨導(dǎo)直接由工作點的電流決定。其次放大器的增益還與負(fù)載有關(guān)。低噪聲放大器大都是按照噪聲最佳匹配進(jìn)行設(shè)計的。噪聲最佳匹配點并非最大增益點，以此增益G 要下降。噪聲最佳匹配情況下的增益成為相關(guān)增益。通常，相關(guān)增益比最大增益大約低2~4dB。所以，一般來說低噪聲放大器的增益確定應(yīng)與系統(tǒng)的整機(jī)噪聲系數(shù)、接收機(jī)動態(tài)范圍等結(jié)合起來考慮。根據(jù)經(jīng)驗，一般取值在15~20 dB較為合適。增益平坦度是指功率最大增益與最小增益之差，它用來描述工作頻帶內(nèi)功率增益的起伏, 常用最高增益與最小增益之差，即△G(dB)表示。

　　3.穩(wěn)定性

　　在微波電路設(shè)計中，放大器的穩(wěn)定性設(shè)計是一個重要的考慮因素。其中，微波電路的穩(wěn)定性可以用S參數(shù)來表示。如果電路的輸入或輸出端電阻為負(fù)電阻，二端口網(wǎng)路就可能發(fā)生振蕩。振蕩發(fā)生在輸入或輸出端反射系數(shù)大于1的條件下。(即IN>1或OUT>1)

　　在窄帶或?qū)拵��?yīng)用中，通常情況下微波放大器在特定頻段都要面臨穩(wěn)定性問題。一般來說，微波放大器的不穩(wěn)定性主要由以下三個因素引起的。

　　(1) 晶體管周圍的內(nèi)反饋。

　　(2) 晶體管周圍外部電路所引起的外反饋。

　　(3) 在工作頻段以外頻率點的過增益。

　　三、課題的準(zhǔn)備情況及進(jìn)度計劃

　　現(xiàn)在已經(jīng)初步了解了低噪聲放大器的基本知識；復(fù)習(xí)了與放大器相關(guān)的知識，同時也學(xué)習(xí)了ADS的應(yīng)用。對在畢業(yè)設(shè)計中需要用到的相關(guān)資料及軟件進(jìn)行了搜集和整理，為使接下來的工作能順利進(jìn)行，特擬定了下一階段的進(jìn)度計劃如下：

　　[1] 張利飛、汪海勇.低噪聲功率放大器的仿真設(shè)計[A].2009年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C]. 2009年

　　[2] 許永生.CMOS射頻器件建模及低噪聲放大器的設(shè)計研究[D],華東師范大學(xué)2006年

　　[3] 胡柳林.800MHz CMOS低噪聲功率放大器設(shè)計與仿真[D]，哈爾濱工業(yè)大學(xué)，2006

　　[4] 金香菊.CMOS射頻C類低噪聲功率放大器研究與設(shè)計[D].電子科技大學(xué),2007年

　　[5] 王振，喻志遠(yuǎn)，雍正平，雷毅.C波段低噪聲功率放大器的設(shè)計[A]，2009年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C]，2009年

　　[6] 王云峰，李磊，梁遠(yuǎn)軍，朱文龍，雙平衡支路低噪聲放大器的設(shè)計與測試

　　[A],2009安捷倫科技節(jié)論文集[C]，2009年

　　[7] 王瑞豐，唐仕明，張曉平， P波段低溫低噪聲功率放大器的設(shè)計與測量，2009安捷倫科技節(jié)論文集，2009年

　　[8] 鄭仁亮.OFDM超寬帶射頻收發(fā)器設(shè)計關(guān)鍵問題及單芯片實現(xiàn)[D]，復(fù)旦大學(xué)，2009年

　　[9] 劉林濤.無源器件和電感電容振蕩器優(yōu)化設(shè)計研究[D]，哈爾濱工業(yè)大學(xué)，2009年

　　[10] 李斐.寬帶射頻接收機(jī)前端低噪聲放大器設(shè)計[D]，北京交通大學(xué)，2011年

　　[11] 黃曉華.低噪聲射頻功率放大器的設(shè)計與優(yōu)化[D]，浙江大學(xué)，2010年

　　[12] 石超，孫保華，魏云飛，朱鋮.GPS接收機(jī)低噪聲放大器設(shè)計[J]，2010年03期

　　[13] Bud Taddiken，Will Ezell Broodband Tunet On a Chip For Cable Modem,HDTV,and Legacy Analog Standards 2000

　　[14] 龍強(qiáng).射頻CMOS功率放大器的研究與應(yīng)用[D]，西安電子科技大學(xué)，2007年

　　[15] 夏溫博，張曉林，宋丹.一種用于便攜式GPS接收機(jī)射頻芯片的低功耗低噪聲放大器[J]，遙測遙控，2010年01

【射頻功率放大器開題報告范文】相關(guān)文章：

手機(jī)射頻工程師簡歷范文06-26

經(jīng)理述職報告范文04-22

保安轉(zhuǎn)正述職報告范文05-17

教師個人述職報告范文12-18

酒店銷售述職報告范文12-09

學(xué)校校長述職報告范文04-24

醫(yī)生的述職報告范文04-21

關(guān)于護(hù)士述職報告范文04-21

車間班長述職報告范文02-20

關(guān)于網(wǎng)絡(luò)實習(xí)報告范文04-24